3D芯片堆栈技术解决数据中心分析数据量增长速度问题
发布时间：2022-10-14 11:30:31 所属栏目：大数据 来源：
导读： Draper并指出，新兴的芯片堆栈技术是将一个主处理器与一个加速器绑在一起、以因应内存密集任务例如机器学习应用的理想方案;而相反的，若采用芯片对芯片互连例如CCIX与OpenCAPI：「就像在用吸管吸汽水。 」 此外D
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Draper并指出，新兴的芯片堆栈技术是将一个主处理器与一个加速器绑在一起、以因应内存密集任务例如机器学习应用的理想方案;而相反的，若采用芯片对芯片互连例如CCIX与OpenCAPI：「就像在用吸管吸汽水。 」 此外Draper也建议在后缘的裸晶采用整合式稳压器(integrated voltage regulator，IVR);他估计，采用相对较小的磁性电感(magneTIc inductors)，该IVR能节省功率以及电路板站为面积，并将芯片的数据传输速率提升到150MHz。 尽管如此，Draper坦承，这个他在甲骨文提出的设计提案，也就是在最顶级的M系列处理器采用芯片堆栈技术，是非常高风险且巨大的承诺;举例来说：「如果在(芯片堆栈)实作过程中出了任何问题，最顶端的裸晶可能就会无法使用。 」 该芯片堆栈采用内存堆栈使用的硅穿孔(TSV)技术，该结构是规律的，但对于高密度、不规则的逻辑芯片来说会很棘手;TSV在厚度上也相对较高，在周遭也需要有保留区域。 Draper声称，芯片堆栈的散热问题大部分可以被解决;具备高导热性的铜接口能轻易地将热从温度较高的顶部裸晶，透过散热片或是风扇从对温度较低的底部裸晶排出。 Xperi (编按：原为Tessera)旗下的Invensas，在室温晶圆/裸晶堆栈技术方面是领导者;其技术也是新创公司ProPrincipia创办人Don Draper认为微处理器设计工程师将会用到的。 Invensas的DRAM堆栈可望在2019年量产，接着是处理器、ASIC、GPU与FPGA等各种组件。 Invensas总裁Craig Mitchell表示：「我们现在的目标是与客户沟通，取得他们的晶圆片，因为每个人的制程与硅穿孔(TSV)技术都有点不太一样。 」 另一个障碍是避免晶圆切割时产生的微小颗粒污染;他指出：「我们正在取得良好的进展，能展现4层的DRAM堆栈;另外我们正以3D DRAM为出发点，因为这是一个大规模的市场，而且如果你能在DRAM领域证实技术，将技术转移到任何地方就会容易许多。 」 Invensas是为Sony等厂商采以6~14微米间距的晶圆对晶圆技术接合氧化物，来堆栈CMOS影像传感器而立足市场;在明年某个时候，Invensas预期能迈向下一步，提供能封装一组MEMS传感器的制程技术。 接下来Invensas则将提供新开发的裸晶等级直接结合互连(die-level Direct Bond Interconnect，DBI)，以链接传感器与逻辑芯片;该技术已经授权给具备一座大型MEMS晶圆代工厂的Teledyne Dalsa。 最终Invensas的目标是让DBI互连能小于1微米大数据堆栈，好将大型芯片转换成相互堆栈的小芯片数组。 （编辑：财气旺网 - 海宁网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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